특허 상세 보기
[KO] 페로브스카이트 양자점이 적용된 유기 발광 트랜지스터
[EN] Organic light-emitting transistor with perovskite quantum dots- 출원번호 10-2021-0043535 출원일 : 2021.04.02
- 등록번호 10-2631244-0000 등록일 : 2024.01.25
-
법적상태
- 등록
- 소멸
Contact point
동아대학교 산학협력단 기술사업화팀 김기연
051 - 200 - 6534
kky1216@dau.ac.kr
출원인
| 구분 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 국적 : | 주소 : |
발명자
| 구분 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 왕동환 | 국적 : | 주소 : 서울특별시 동작구... |
| 2 | 김진영 | 국적 : | 주소 : 서울특별시 동대문구... |
| 3 | 김민성 | 국적 : | 주소 : 경기도 용인시 수지구... |
| 4 | 서정화 | 국적 : | 주소 : 서울특별시 양천구... |
| 5 | 박유정 | 국적 : | 주소 : 부산광역시 북구... |
대리인
| 구분 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인위더피플 | 국적 : 대한민국 | 주소 : 서울특별시 서대문구 경기대로 **, 진양빌딩 *층(충정로*가) |
요약
본 발명의 실시예에 의한 유기 발광 트랜지스터는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치된 절연층; 상기 절연층의 일부 상에 배치되는 n형 금속산화물층; 상기 n형 금속 산화물층을 덮으면서 상기 절연층 상에 배치되는 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 양자점을 포함하는 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상의 일부에 배치되는 p형 제 1 금속산화물층; 상기 p형 제 1 금속산화물층과 이격하여 상기 유기 발광층 상의 일부에 배치되는 p형 제 2 금속산화물층; 상기 p형 제 1 금속산화물층 상에 배치되는 소스 전극; 및 상기 p형 제 2 금속산화물층 상에 배치되는 드레인 전극;을 포함한다: [화학식 1] ABX3-nX'n (상기 화학식 1에서, A는 유기암모늄, 유기아미디늄 및 알칼리 금속 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상이고, B는 2가의 전이금속, 희토류금속, 알칼리토류 금속, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Al, Sb, Bi, Po 및 유기물질 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상이고, X 및 X'는 서로 독립적으로 F, Cl, Br 및 I 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상이고, 0 ≤ n ≤ 3 이다.)
IPC
H10K 99/00(2023.01.01)
H10K 50/80(2023.01.01)
H10K 50/80(2023.01.01)
CPC
H10K 85/00(2013.01)
H10K 50/30(2013.01)
