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[KO] 폴리스티렌설폰산 금속염을 포함하는 조성물, 반도체 소자 및 이의 제조방법
[EN] COMPOSITION COMPRISING METAL SALTS OF POLYSTYRENE SULFONIC ACID, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF- 출원번호 10-2020-0170607 출원일 : 2020.12.08
- 등록번호 10-2502861-0000 등록일 : 2023.02.20
-
법적상태
- 등록
- 소멸
Contact point
동아대학교 산학협력단 기술사업화팀 김기연
051 - 200 - 6534
kky1216@dau.ac.kr
출원인
| 구분 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 국적 : | 주소 : |
발명자
| 구분 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서정화 | 국적 : | 주소 : 서울특별시 양천구... |
| 2 | 강주환 | 국적 : | 주소 : 부산광역시 사하구... |
| 3 | 아즈맛 알리 | 국적 : | 주소 : 부산광역시 사하구... |
| 4 | 브라이트 워커 | 국적 : | 주소 : 서울특별시 양천구... |
| 5 | 안요한 | 국적 : | 주소 : 서울특별시 동대문구... |
대리인
| 구분 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인 무한 | 국적 : 대한민국 | 주소 : 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩) |
요약
본 발명은, 폴리스티렌설폰산 금속염을 포함하는 조성물, 반도체 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 폴리스티렌설폰산 금속염; 및 음이온성 고분자 전해질; 을 포함하는, 조성물, 상기 조성물을 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
IPC
H10K 99/00(2023.01.01)
H10K 30/00(2023.01.01)
H10K 50/00(2023.01.01)
H10K 30/00(2023.01.01)
H10K 50/00(2023.01.01)
CPC
H10K 85/111(2013.01)
H10K 85/113(2013.01)
H10K 30/15(2013.01)
H10K 50/15(2013.01)
H10K 71/10(2013.01)
H10K 71/40(2013.01)
H10K 71/00(2013.01)
교내 주요 사이트
관련부처
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