본 발명의 일 양태는, 평균직경 수십 내지 백 ㎛인 관통공이 다수개 형성된 패턴화된 Si 기판의 일면을, 전기전도성층을 포함하는 전극판의 전기전도성층 상에 위치시키되 전극판의 전기전도성층이 위치하는 면에서의 제곱평균제곱근조도(Sq) 값이 1 내지 100nm가 되도록 하여 적층체를 형성하는 적층단계, 전기전도성인 금속이온 또는 금속을 포함하는 도금조에 적층체를 위치시키는 설정단계, 도금조에 포함되는 도금액의 온도가 20 내지 60 ℃로 유지되도록 하면서 10 내지 100 ㎃/㎠의 전류밀도로 도금조에 전류를 인가하여 전기전도성 금속으로 구리를 포함하는 매립층이 미리 설정된 두께로 관통공 내에 형성된 것인 매립적층체를 마련하는 도금단계, 그리고 매립적층체에서 Si 기판과 전극판을 분리하여 매립된 관통공이 포함된 패턴을 갖는 Si 기판인 매립기판을 제조하는 분리단계를 포함하며, 도금조에 포함되는 도금액은 황산구리 0.1 내지 1 mol/L, 전도보조제로 황산 0.5 내지 3 mol/L, 염소이온으로 1 내지 130 ppm, 그리고 도금억제제 10 내지 700 ppm을 포함하고, 12개의 관통공을 기준으로 평가한 매립층 두께의 표준편차가 두께 평균값의 1 내지 2.8 %인, 관통공이 매립된 Si 기판의 제조방법을 제공한다.

H01L 21/768(2006.01.01)
H01L 21/288(2006.01.01)

H01L 21/76877(2013.01)