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[KO] 양극활물질 표면처리용 조성물, 이의 제조방법 및 이에 의하여 표면 처리된 양극활물질

[EN] SURFACE TREATING COMPOSITION FOR CATHOD ACTIVE MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

출원번호 10-2018-0113503 출원일 : 2018.09.21
등록번호 10-2125766-0000 등록일 : 2020.06.17
법적상태
- 등록
- 소멸

Contact point

동아대학교 산학협력단 기술사업화팀 김기연 051 - 200 - 6534 kky1216@dau.ac.kr

출원인

구분	이름	국적	주소
1	동아대학교 산학협력단	국적 : 대한민국	주소 : 부산광역시 사하구...

발명자

구분	이름	국적	주소
1	김점수	국적 :	주소 : 경기도 화성시 영통로번길 , ...
2	이창우	국적 :	주소 : 경상남도 양산시 양주로 *, ...

대리인

구분	이름	국적	주소
1	특허법인아이피매그나	국적 : 대한민국	주소 : 서울특별시 서초구 강남대로 *길 ,양재DS타워 *층

요약

본 발명은 양극활물질 표면처리용 조성물, 이의 제조방법 및 이에 의하여 표면 처리된 양극활물질에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 이온 활성제로 코팅된 이산화티탄을 포함하여 본 발명에 의한 표면처리용 조성물로 표면 처리시 잔류 리튬을 저감시키면서도 표면에 티탄을 코팅하는 공정을 동시에 수행할 수 있는 양극활물질 표면처리용 조성물, 이의 제조 방법 및 이에 의하여 표면처리된 양극활물질에 관한 것이다.

IPC

H01M 4/36(2006.01.01)
H01M 4/62(2006.01.01)
H01M 4/525(2010.01.01)
H01M 4/505(2010.01.01)
H01M 10/052(2010.01.01)
H01M 10/054(2010.01.01)
C01G 23/047(2006.01.01)
H01G 11/46(2013.01.01)
H01G 11/50(2013.01.01)

CPC

H01M 4/366(2013.01)

H01M 4/62(2013.01)

H01M 4/525(2013.01)

H01M 4/505(2013.01)

H01M 10/052(2013.01)

H01M 10/054(2013.01)

C01G 23/047(2013.01)

H01G 11/46(2013.01)

H01G 11/50(2013.01)

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