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[KO] 듀얼 게이트 절연막을 갖는 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
[EN] Organic Thin Film Transistor(OTFT) comprising dual gate insulating layer and method for manufacturing thereof- 출원번호 10-2008-0117949 출원일 : 2008.11.26
- 등록번호 10-0998978-0000 등록일 : 2010.12.01
-
법적상태
- 등록
- 소멸
Contact point
동아대학교 산학협력단 기술사업화팀 김기연
051 - 200 - 6534
kky1216@dau.ac.kr
출원인
| 구분 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 동아대학교 산학협력단 | 국적 : 대한민국 | 주소 : 부산광역시 사하구... |
발명자
| 구분 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 송정근 | 국적 : | 주소 : 부산광역시 해운대구... |
| 2 | 양재우 | 국적 : | 주소 : 부산광역시 해운대구... |
| 3 | 박동진 | 국적 : | 주소 : 대구광역시 달성군 화원읍 구... |
| 4 | 이명원 | 국적 : | 주소 : 부산광역시 영도구... |
대리인
| 구분 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박종한 | 국적 : 대한민국 | 주소 : 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소) |
요약
본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 게이트 전극의 단선을 방지하고, 안정적인 전류특성을 확보할 수 있는 듀얼 게이트 절연막을 갖는 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 게이트 전극이 기판의 상부면에 형성된다. 유기 소재의 듀얼 게이트 절연막이 기판의 상부면에 게이트 전극을 덮도록 형성된다. 소스-드레인 전극이 게이트 전극 위의 듀얼 게이트 절연막 위에 형성되며, 게이트 전극을 중심으로 양쪽에 각각 형성된다. 그리고 유기 반도체층이 소스-드레인 전극을 연결하는 형성된다. 이때 듀얼 게이트 절연막은 게이트 전극을 덮는 제1 게이트 절연막과, 제1 게이트 절연막보다는 두껍게 제1 게이트 절연막 위에 형성된 제2 게이트 절연막을 포함한다. 듀얼, 게이트 절연막, 단선, PVP, 탈포
IPC
G02F 1/136(2006.01.01)
H01L 29/786(2006.01.01)
H01L 29/786(2006.01.01)
CPC
H10K 10/474(2013.01)
H10K 10/466(2013.01)
