KAIST 강기범 교수, UNIST 김병조 교수, 한양대 김우희 교수와 TDS Innovation 공동 연구팀이 2차원 반도체 결정이 생겨나는 위치를 정밀하게 제어하는 성장 기술을 개발했다고 과학기술정보통신부가 밝혔습니다. 

연구팀은 산화하프늄 장벽에서 나오는 산소 성분이 가장자리에서는 결정핵 형성을 강하게 억제하고 중앙에서는 약하게 억제한다는 점을 활용했습니다.

이를 통해 성장 영역 중앙에 하나의 결정핵만 생기도록 유도했고, 400개 실험 패턴 중 99% 이상에서 경계 없는 이황화몰리브덴 단결정을 만드는 데 성공했습니다. 

이번 성과는 10월 8일 국제학술지 '네이처'에 게재됐습니다. 연산과 메모리를 수직으로 쌓는 적층형 반도체 공정에 활용돼 고집적·저전력 AI 반도체 구현과 데이터센터 전력 부담 완화에 기여할 것으로 기대됩니다.

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