♣ 발행일   2024.07.08.

♣ 정보제공 국가나노기술정책센터 (nnpc.re.kr)

♣ 원문보기 국가나노기술정책센터 | 삼성전자·SK하이닉스, HBM용 웨이퍼 공정에 '레이저 탈착' 도입 추진 > 국내 (nnpc.re.kr)

● 삼성전자 및 SK하이닉스는 HBM용 웨이퍼 탈착(디본딩) 공정*을 메카니컬 디본딩**에서 레이저 방식으로 바꾸기 위해 협력사와 기술 개발을 진행하는 것으로 확인

* 웨이퍼 디본딩(Wafer Debonding) : 공정 중 얇아진 웨이퍼를 휘지 않게 부착한 임시 웨이퍼(글래스 소재 캐리어 웨이퍼)를 분리하는 작업

** 메카니컬 디본딩(Mechanical Debonding) : 반도체가 만들어지는 메인 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 접착제로 붙였다 칼날(블레이드)로 떼어내는 작업

● 업계 관계자는 극한 공정 환경에 대응해 보다 강력한 접착제 사용이 필요해졌고, 이를 메카니컬 방식으로는 떼어낼 수 없어 안정적으로 분리하기 위해 시도하는 것이라 설명

● 삼성전자는 엑시머 레이저를, SK하이닉스는 자외선(UV) 레이저 등 다양한 방식으로 검토 중이며, 레이저 디본딩은 D램 메모리 가장 하단에 시스템반도체 기반 ‘베이스 다이’가 적용되는 HBM4 16단부터 도입될 것으로 예상

● 웨이퍼 디본딩 접착제는 미국 3M과 일본 신에츠화학, 닛산화학, TOK 등의 기업들이 주로 공급하고 있어, 이에 대응해 소재ㆍ장비 업체가 새로운 기술 및 제품 개발을 위해 성능 평가 등 활발한 협력을 추진 중

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